ترانزستور سيليكون PNP إبيتاكسيال من نوع B649 أو 2SB649، حزمة TO-126 الشائعة في السوق المصري. بيُستخدم كمُضخم قدرة ترددات منخفضة (Low Frequency Power Amplifier) وكمان كمفتاح في الدوائر العامة. مكمل مباشر للترانزستور NPN 2SD669 / D669، وده بيخليه اختيار أساسي في مراحل الدفع-السحب (Push-Pull) لمضخمات الصوت.
المواصفات الفنية الرئيسية
- النوع: Silicon PNP Epitaxial
- الحزمة: TO-126 (ترتيب الأرجل عادة E-C-B)
- جهد المجمع-القاعدة VCBO: −180 V
- جهد المجمع-الباعث VCEO: −120 V (النسخة A: −160 V)
- جهد الباعث-القاعدة VEBO: −5 V
- تيار المجمع المستمر IC: −1.5 A (ذروة حتى −3 A)
- قدرة التبديد Pc: 1 وات بدون مشتت (تصل لـ 20 وات مع تبريد كويس)
- تردد الانتقال fT: 140 MHz
- درجة حرارة الوصلة Tj: 150°C
- نطاق التخزين: −55 إلى +150°C
الاستخدامات العملية في الورش والمنازل
- مضخمات صوت الترددات المنخفضة (AF Power Amplifiers) خاصة مراحل الـ Push-Pull مع D669
- دوائر التبديل العامة ومنظمات الجهد
- مزودات الطاقة ومضخمات الجهد
- تطبيقات RF منخفضة التردد والدوائر اللي محتاجة جهد عالي مع تيار متوسط
- صيانة الأجهزة الصوتية القديمة والحديثة في الورش المصرية
مميزات تهم الفني والصنايعي
- جهد تشغيل عالي نسبياً (−120 V) مع تيار 1.5 أمبير، مناسب للطاقة المنخفضة للمتوسطة
- كسب تيار واسع (hFE) يسهل اختيار الرتبة المناسبة (B/C/D) حسب الدائرة
- تردد انتقال 140 ميجاهرتز بيدعم أداء كويس في الترددات المنخفضة
- حزمة TO-126 سهلة التركيب والتبريد بمشتت حراري بسيط
نصائح الاستخدام الآمن
- يُفضل الشغل تحت 80% من الحدود القصوى (جهد ≤ −96 V وتيار ≤ −1.2 A)
- استخدام مشتت حراري مناسب خاصة لو القدرة أعلى من 1 وات
- التأكد من ترتيب الأرجل (E-C-B) قبل اللحام
- للنسخ الصوتية عالية الجودة يُفضل الجمع مع KSC2690 أو D669 الأصلي
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.